北京第三代半导体产业技术创新战略联盟关于T/CASAS 027—2023《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》等5项团体标准发布的通知
各联盟成员单位：
按照CASAS相关管理办法，团体标准T/CASAS 027—2023《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》、T/CASAS 028—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件可靠性筛选和验收方法》、T/CASAS 029—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》、T/CASAS 030—2023《GaN毫米波前端芯片测试方法》、T/CASAS 031—2023《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》已遵照流程完成制定工作，现予以发布。
标准编号及名称：
T/CASAS 027—2023《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》
T/CASAS 028—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件可靠性筛选和验收方法》
T/CASAS 029—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》
T/CASAS 030—2023《GaN毫米波前端芯片测试方法》
T/CASAS 031—2023《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》
特此通知。
第三代半导体产业技术创新战略联盟
2023年6月26日
