根据《中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准管理办法》的相关规定，现批准发布六项团体标准。标准编号和名称如下：
1 | T/IAWBS 008-2019 | SiC晶片的残余应力检测方法 |
2 | T/IAWBS 009-2019 | 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验 |
3 | T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 |
4 | T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 |
5 | T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法——共焦点微分干涉光学法 |
6 | T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 |
上述六项标准自2019年12月27日发布，自2019年12月31日起实施。
现予公告！
附件：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准发布公告
关于批准发布SiC晶片的残余应力检测方法等六项团体标准的公告1227.pdf